[发明专利]半导体装置和制造方法

摘要

一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面，其中，该第一电极包含由铜制造的第一电极膜，以形成待接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极和第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第二电极包含由铜制造的第二电极膜，以形成待接合表面，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接，其中，当接合在一起的该第一基板和该第二基板在高于铜的成膜温度的温度下热处理时，铜的晶粒迁移并破坏该绝缘薄膜的该一部分。