[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410094324.6 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051376B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | A.V.高达;S.S.乔汉;P.A.麦康奈利 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/14;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;何逵游 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置模块，包括：介电层；半导体装置，其具有联接到介电层上的第一表面；以及传导垫片，其具有联接到介电层的第一表面。该半导体装置还包括导电散热器，其具有联接到半导体装置的第二表面和传导垫片的第二表面的第一表面。金属化层联接到半导体装置的第一表面和传导垫片的第一表面。金属化层延伸穿过介电层并且通过传导垫片和散热器电连接到半导体装置的第二表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 覆盖 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置封装，包括：介电层；介电层上的粘合层；半导体装置，其具有通过所述粘合层联接到所述介电层上的第一表面；传导垫片，其具有通过所述粘合层联接到所述介电层的第一表面；导电散热器，其具有第一表面，所述第一表面联接到所述半导体装置的第二表面和所述传导垫片的第二表面；以及金属化层，其联接到所述半导体装置的第一表面和所述传导垫片的第一表面，所述金属化层延伸穿过所述介电层并且通过所述传导垫片和所述散热器电连接到所述半导体装置的第二表面。
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