[发明专利]形成HEMT半导体装置的方法和用于其的结构在审
| 申请号： | 201410093897.7 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051517A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 小J·M·帕西;刘春利;B·帕德玛纳伯翰 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方案中，HEMT半导体装置包括可含有氧气的隔离区，其中所述隔离区可完全将ALGaN和GaN层延伸至底层中。一种HEMT半导体装置，包括：具有表面的半导体衬底；覆在所述半导体衬底的所述表面上的GaN层；接近所述GaN层的AlGaN层，其中所述GaN和AlGaN层的接近性及所述AlGaN层中材料的摩尔分数被配置成在所述GaN层中形成二维电子气；覆在所述AlGaN层上的电介质层；以及从所述AlGaN层的表面延伸通过所述电介质层的第一部分、通过所述AlGaN层、并延伸至所述GaN层的第一部分中的隔离区，所述隔离区形成环绕所述电介质、GaN层和AlGaN层的第二部分的多连通区域，其中所述隔离区是通过在所述AlGaN层和GaN层的所述第一部分中形成氧原子、在所述AlGaN层和GaN层的所述第一部分中形成受主原子、或在所述AlGaN层和GaN层中的所述第一部分中破坏原子中的一个而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 hemt 半导体 装置 方法 用于 结构 | ||
【主权项】：
一种HEMT半导体装置，包括：具有表面的半导体衬底；覆在所述半导体衬底的所述表面上的GaN层；接近所述GaN层的AlGaN层，其中所述GaN层和AlGaN层的接近性及所述AlGaN层中材料的摩尔分数被配置成在所述GaN层中形成二维电子气；覆在所述AlGaN层上的电介质层；以及从所述AlGaN层的表面延伸通过所述电介质层的第一部分、通过所述AlGaN层、并延伸至所述GaN层的第一部分中的隔离区，所述隔离区形成环绕所述电介质层、GaN层和AlGaN层的第二部分的多连通区域，其中所述隔离区是通过在所述AlGaN层和GaN层的所述第一部分中形成氧原子、在所述AlGaN层和GaN层的所述第一部分中形成受主原子、或在所述AlGaN层和GaN层的所述第一部分中破坏原子中的一个而形成的。
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