[发明专利]半导体封装和封装半导体装置的方法有效
申请号: | 201410092931.9 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN104051350B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 杨永波;胡振鸿 | 申请(专利权)人: | 联测总部私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 郭婧婧 |
地址: | 新加坡宏*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 呈现半导体封装和用于形成半导体封装的方法。所述方法包括提供一种具有第一主表面和第二主表面的封装衬底。所述封装衬底包括至少一个具有至少一个空腔的衬底层。形成互连结构。在所述空腔内形成至少一个导电螺柱并且在所述封装衬底的所述第一主表面的上面形成导电迹线和连接焊盘并且将其与所述导电螺柱的顶表面耦接。形成封装焊盘并且将其直接耦接到所述导电螺柱。提供裸片,在其第一表面或第二表面上具有导电触点。所述裸片的所述导电触点被电耦接到所述互连结构。在所述封装衬底的上面形成封盖来包封所述裸片。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成半导体封装的方法,其包含:提供具有第一和第二主表面的导电载体;加工导电载体的第一主表面以形成具有至少一个突起部分和至少一个凹槽的表面形态;提供具有第一主表面和第二主表面的封装衬底,其中所述封装衬底包含在导电载体的第一主表面的上面形成至少一个衬底层并填充所述凹槽,形成至少通过一个衬底层的至少第一和第二空腔,其中第一空腔形成在至少一个突起部分上,第二空腔形成在导电载体的至少一个凹槽上;形成互连结构,其中形成所述互连结构包括在所述第一和第二空腔内形成导电螺柱,在所述封装衬底的所述第一主表面的上面形成导电迹线和连接焊盘,并且将所述导电迹线和连接焊盘耦接到所述导电螺柱的顶表面,以及形成封装焊盘,其中所述封装焊盘被直接耦接到所述导电螺柱;提供裸片,在其第一表面或第二表面上具有导电触点,其中所述裸片的所述导电触点被电耦接到所述互连结构;以及在所述封装衬底的上面形成封盖来包封所述裸片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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