[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片在审
| 申请号： | 201410092222.0 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103834994A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;陈红荣;何亮;张学日;鄢俊琦;雷琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，该方法以拼接铺设的高纯多晶硅料为形核剂，再通过定向凝固法来生产多晶硅锭，该方法形核可控性强，避免了硅料在空隙中部分形核导致位错增多的问题，能够有效抑制位错的增殖，从而获得高质量的多晶硅锭。本发明同时提供了通过该制备方法获得的晶粒细小均匀、晶向集中的高质量多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片；所述多晶硅片尾部位错团少，头部位错增值少，质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在坩埚底部制备涂层；（2）在所述涂层上铺设底面规整的多晶硅料块作为籽晶，形成籽晶层，所述涂层将所述籽晶层与所述坩埚底部隔离；所述籽晶为无掺杂剂、纯度在99.99%以上的高纯硅料；（3）在所述籽晶层的上方设置熔融状态的硅料，并控制所述籽晶层不被完全熔化；（4）控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长，制得多晶硅锭。
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