[发明专利]一种提高LED集成光源光通量输出的结构在审
| 申请号： | 201410086672.9 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103887298A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨人毅 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高LED集成光源光通量输出的结构，该结构包括：基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaNLED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、所述线路层；其特征在于，面向所述GaNLED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡墙。实现了改变LED集成光源中光路，使得硅胶中水平行走的光，穿出硅胶到达空气中，从而大大提高光通量输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 集成 光源 光通量 输出 结构 | ||
【主权项】：
一种提高LED集成光源光通量输出的结构，该结构包括：基板；所述基板上的线路层；所述基板上的GaN LED芯片阵列；以及GaN LED芯片阵列之间、且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层；围坝胶邻接于荧光粉硅胶层、所述线路层；其特征在于，面向所述GaN LED芯片阵列的所述绝缘层表面形成为斜坡墙。
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