[发明专利]具有磁解耦的籽晶层的读取器在审
| 申请号： | 201410082831.8 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104036791A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | V·B·萨波日尼科夫;T·G·泊克希尔;M·S·U·帕特瓦瑞 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667;G11B5/11 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了具有磁解耦的籽晶层的读取器。一种包括底部屏蔽层和传感器叠层的装置，其中底部屏蔽层通过第一软磁层与传感器叠层隔开，该第一软磁层从底部屏蔽层磁解耦。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁解耦 籽晶 读取器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：底部屏蔽层；以及传感器叠层，其中所述底部屏蔽层通过第一软磁层与所述传感器叠层隔开，所述第一软磁层从所述底部屏蔽层磁解耦。
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- 一种磁记录介质的垂直磁记录层包括多个位元图案化磁岛，其中该多个岛各自覆盖软磁衬层。磁岛各自包括毗邻第二磁性子层的第一磁性子层，其中第一子层具有高于第二子层的磁各向异性的相对较高的磁各向异性。该磁记录介质还包括第三子层，该第三子层延伸以连接多个岛中的每一个。第三子层的磁各向异性可低于各个磁岛的第二子层的磁各向异性，和/或第三子层可用作在第一子层与记录介质的软磁衬层之间延伸的夹层，而且具有有助于产生更高各向异性的第一磁性子层的结构。
- 垂直磁记录介质-200910208195.8
- 荒井礼子;中川宏之 - 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 2009-11-02 - 2010-06-16 - G11B5/667
- 本发明提供一种垂直磁记录介质，其实现优异的记录/再现特性，并满足高记录密度的要求。粘合层(12)、软磁衬层(13)、籽层(14)、中间层(15)和记录层(16)顺序叠置在衬底(11)上。籽层(14)具有层叠结构，包括第一籽层(141)和第二籽层(142)。第一籽层(141)由包括CoFe合金的具有fcc晶格结构的磁合金构成，第二籽层(142)由包括NiW合金的具有fcc结构的非磁合金构成。
- 垂直磁记录介质和使用其的磁存储器-200910133880.9
- 玉井一郎;棚桥究 - 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 2009-04-08 - 2009-10-14 - G11B5/667
- 本发明提供一种垂直磁记录介质和使用其的磁存储器。所述垂直磁记录介质包括基板，该基板上至少顺序具有软磁层、非磁中间层、垂直记录层和保护层，其中所述垂直记录层从靠近所述基板一侧起包括第一记录层、第二记录层和第三记录层三层或更多层，所述第一记录层和所述第二记录层具有颗粒结构，包括围绕包含Co和Pt的铁磁晶粒的氧化物晶粒边界，所述第三记录层具有非颗粒结构，主要包括Co且不包含氧化物，所述第一记录层的晶粒边界含有Si，Cr和氧，以及选自Ti、Ta和Nb中的至少一种元素，所述第二记录层的晶粒边界包含Cr和氧，或者包含Cr和氧，以及选自Si、W和V中的至少一种元素。
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