[发明专利]用于晶片级封装的由垫限定的接触

摘要

本发明提供了一种器件和制造工艺，其采用晶片级封装工艺来制造包括由垫限定的接触的半导体器件。在各实施方式中，采用本发明工艺的晶片级封装器件包括：基板；钝化层；顶部金属触垫；薄膜，其中形成有导通孔；再分布层结构，其构造成与顶部金属触垫接触；以及位于薄膜和再分布层结构上的电介质层。在各实施方式中，采用本发明工艺的用于制造晶片级封装器件的方法包括：处理基板；形成钝化层；沉积顶部金属触垫；形成薄膜，其中形成有导通孔；在形成于薄膜中的导通孔中形成再分布层结构；以及在薄膜和再分布层结构上形成电介质层。

主权项

1.一种晶片级封装器件，包括：半导体基板，其包括形成在其中的一个或多个集成电路；顶部金属触垫，其设置成与所述半导体基板接触并且配置成提供在形成于半导体基板上的所述一个或多个集成电路和一个或多个外部部件之间的电接触；钝化层，其设置成与顶部金属触垫和半导体基板接触；薄膜，其设置在所述钝化层上并且包括电绝缘层，其中，形成在薄膜中的导通孔大于钝化层中的开口，薄膜中的导通口和钝化层中的开口都设置在顶部金属触垫上方；再分布层结构，其设置在所述顶部金属触垫以及所述钝化层的至少一部分上，所述再分布层结构至少部分地设置在形成于所述薄膜中的所述导通孔中，其中，所述再分布层结构基本上接触顶部金属触垫远离半导体基板的表面，其中，在再分布层结构和顶部金属触垫之间的接触是由垫限定的接触，其中，在再分布层结构和薄膜之间形成有间隙，并且其中，再分布层电绝缘于半导体基板，除了顶部金属触垫；和电介质层，其形成在所述薄膜和所述再分布层结构上。