[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在PMOS区域上形成第一鳍部，在NMOS区域上形成第二鳍部；在半导体衬底表面形成低于第一鳍部和第二鳍部表面的隔离层；在第一鳍部表面形成功函数调整层；同时形成跨第一鳍部的第一栅极结构和横跨第二鳍部的第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源漏极，在所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二源漏极。上述方法可以降低形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的工艺难度，减少工艺步骤。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，在NMOS区域上形成第二鳍部；在半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于第一鳍部和第二鳍部的表面；在第一鳍部表面形成功函数调整层，所述功函数调整层位于所述隔离层上方、并完整的包裹所述第一鳍部表面暴露的部分，所述功函数调整层用于降低PMOS区域上待形成的鳍式场效应晶体管所需要的栅极功函数的数值；在具有PMOS区域内功函数调整层的结构的基础上，后续工艺同时对PMOS区域和NMOS区域进行处理；同时形成位于功函数调整层表面且横跨被所述功函数调整层包裹的第一鳍部的第一栅极结构、横跨第二鳍部的第二栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的第一功函数层、位于第一功函数层表面的第一栅极，所述第二栅极结构包括第二栅介质层、位于第二栅介质层表面的第二功函数层、位于第二功函数层表面的第二栅极，所述第一功函数层和第二功函数层的功函数相同；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源漏极，在所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二源漏极。