[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201410069523.1 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN103839888B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 曹占锋;张峰;张文林;张斌;刘震;姚琪;章志兴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L23/50 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题,提高了阵列基板的良品率。该制备方法包括在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线;在形成有修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层;过孔与修复导线垂直对应,且沿第一方向,在任意两个相邻的源极之间的区域,至少形成有一个过孔;在形成有隔离层的基板上形成包括源极、漏极、以及与源极电连接的数据线的源漏金属层;数据线沿第一方向平行排布;任一根修复导线与一根数据线垂直对应,且数据线通过隔离层上的过孔与修复导线接触。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线;在形成有所述修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层;其中,所述过孔与所述修复导线垂直对应,且沿所述第一方向,在任意两个相邻的源极之间的区域,至少形成有一个所述过孔;在形成有所述隔离层的基板上形成包括源极、漏极、以及与所述源极电连接的数据线的源漏金属层;所述数据线沿所述第一方向平行排布;其中,任一根所述修复导线与一根所述数据线垂直对应,且所述数据线通过所述隔离层上的所述过孔与所述修复导线接触;所述形成沿第一方向平行排布的多根修复导线,包括:采用一次构图工艺形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层;其中,所述源极和所述漏极与所述金属氧化物半导体有源层直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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