[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，液晶显示器技术发展迅速，己经取代了传统的显像管显示器而成为当下平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势成为了显示器领域发展的主流趋势。

随着人们对TFT-LCD显示图像品质的不断追求，其分辨率在不断地提高，单个像素的尺寸变得越来越小，相应地，阵列基板中的数据线的线宽也在逐渐减小，其中，数据线(及源极、漏极)的制备过程通常是采用湿法刻蚀工艺形成的，由于湿法刻蚀难以达到绝对的均匀性，因此，当数据线的线宽不断减小时，数据线发生断路(Data open)的几率也相应地增大。

当数据线发生断路时，数据信号无法传输到相应的像素区域，导致屏幕上出现一条亮线或暗线，影响了TFT-LCD的图像正常显示。基于现有生产工序所完成的阵列基板难以对发生断路的数据线进行快速有效的修复，降低了阵列基板的良品率，从而限制了高分辨率TFT-LCD的发展。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题，提高了所述阵列基板的良品率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，该方法包括：在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线；在形成有所述修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层；其中，所述过孔与所述修复导线垂直对应，且沿所述第一方向，在任意两个相邻的源极之间的区域，至少形成有一个所述过孔；在形成有所述隔离层的基板上形成包括源极、漏极、以及与所述源极电连接的数据线的源漏金属层；所述数据线沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修复导线与一根所述数据线垂直对应，且所述数据线通过所述隔离层上的所述过孔与所述修复导线接触。

优选的，在任意两个相邻的源极之间的区域，形成有两个所述过孔，且两个所述过孔靠近所述源极。

优选的，所述形成沿第一方向平行排布的多根修复导线，包括：采用一次构图工艺形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层；其中，所述源极和所述漏极与所述金属氧化物半导体有源层直接接触。

进一步优选的，所述采用一次构图工艺形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层，具体包括：形成呈半导体特性的金属氧化物薄膜，并在所述金属氧化物薄膜之上形成光刻胶层；采用半色调掩模板或灰色调掩模板对形成有所述光刻胶层的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述金属氧化物半导体有源层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述修复导线的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分露出的所述金属氧化物薄膜，形成所述金属氧化物半导体有源层和金属氧化物半导体保留图案；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶，露出所述金属氧化物半导体保留图案；对露出的所述金属氧化物半导体保留图案进行金属化处理，使所述金属氧化物半导体保留图案转化为呈导体特性的所述修复导线；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

优选的，所述在形成有所述修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层，包括：采用一次构图工艺形成包括多个隔离条的所述隔离层、以及与所述隔离条同层的刻蚀阻挡图案；其中，多个隔离条沿所述第一方向平行排布；任一个所述隔离条与一根所述修复导线垂直对应，且所述过孔形成于所述隔离条上；所述刻蚀阻挡图案与所述源极和所述漏极之间的间隙对应，且所述刻蚀阻挡图案与所述源极和所述漏极、以及所述金属氧化物半导体有源层均直接接触。

可选的，在衬底基板上形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层，包括：在所述衬底基板的表面形成包括栅极、栅线的栅金属层；在形成有包括所述栅极、所述栅线的栅金属层的基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的基板上形成修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层。

可选的，所述方法还包括：在形成有包括所述源极、所述漏极、以及与所述源极电连接的所述数据线的源漏金属层的基板上依次形成栅绝缘层、以及包括栅极、栅线的栅金属层。