[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410061608.5 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103794652B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪;王磊;林振国 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括a.在衬底上制备栅极；b.沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在栅极绝缘层上沉积不含锌的锡钽氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在有源层上沉积金属层，然后图形化作为源漏电极图形。有源层采用不含锌的锡钽氧化物半导体材料制备而成，锡钽氧化物半导体材料在氢氟酸中的刻蚀速率大于10nm/min且在硫酸、盐酸或者铝刻蚀液中的至少一种中的刻蚀速率不大于5nm/min。本发明的锡钽氧化物有源层能减少刻蚀源漏电极中对背沟道造成的损伤，产品稳定、适宜工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.采用不含锌的锡钽氧化物半导体材料作为原料在所述栅极绝缘层上沉积不含锌的锡钽氧化物薄膜并图形化形成有源层；所述锡钽氧化物薄膜在氢氟酸中的刻蚀速率大于10nm/min且在硫酸、盐酸或者铝刻蚀液中的一种以上的刻蚀液中的刻蚀速率小于等于5nm/min；d.在所述有源层上直接沉积金属层并以湿法刻蚀的方法直接在所述有源层上进行图形化作为源漏电极；所述锡钽氧化物半导体材料中氧化钽占所述锡钽氧化物整体的重量百分比为0.1％～20％。
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