[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备具有第1面和对置于上述第1面的第2面的第1导电型的第1半导体层、和形成在上述第1半导体层的上述第1面上的第2导电型的第2半导体层。进而，上述装置具备形成于上述第1及第2半导体层上且在与上述第1面平行的第1方向上延伸的多个控制电极、和在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧沿着上述第1方向交替地形成的多个上述第1导电型的第3半导体层及多个上述第2导电型的第4半导体层。进而，上述装置具备在上述第2半导体层的上述第1半导体层侧、或被上述第2半导体层包围的位置上形成的多个上述第1导电型的第5半导体层；上述第5半导体层沿着上述第1方向相互离开而配置。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1电极及第2电极；第1导电型的第1半导体层，位于上述第1电极与上述第2电极之间，在上述第1电极侧具有第1面，在上述第2电极侧具有对置于上述第1面的第2面；第2导电型的第2半导体层，形成在上述第1半导体层的上述第1面上，并且位于上述第1电极与上述第1半导体层之间；多个控制电极，隔着绝缘膜形成在上述第1半导体层及第2半导体层上，在平行于上述第1面的第1方向上延伸；多个上述第1导电型的第3半导体层及多个上述第2导电型的第4半导体层，在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧，沿着上述第1方向交替地形成，并且位于上述第1电极与上述第2半导体层之间；以及多个上述第1导电型的第5半导体层，在上述第2半导体层的上述第1半导体层侧、或被上述第2半导体层包围的位置上形成，上述第5半导体层沿着上述第1方向相互离开而配置，上述第5半导体层设置在上述第1半导体层的在与上述第1面垂直的第2方向上、与上述第3半导体层重叠的位置上。