[发明专利]缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法有效
| 申请号： | 201410058985.3 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103849853A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 冯玉霞;杨少延;魏鸿源;焦春美;孔苏苏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/02;C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 缓解 mocvd 工艺 衬底 氮化 薄膜 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法，其特征在于，包括： 步骤A，于硅(111)衬底表面沉积金属铝层； 步骤B，向MOCVD反应室中通入氨气与三甲基铝，在所述金属铝层上沉积氮化铝成核层，其中，所述氨气与三甲基铝的摩尔比介于2000～5000之间，所述氮化铝成核层的沉积温度介于1000℃～1500； 步骤C，向MOCVD反应室中通入氨气与三甲基铝，在所述氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层，其中，所述氨气与三甲基铝的摩尔比介于1000～2000之间，所述氮化铝过渡层的沉积温度介于1000℃～1500℃之间； 步骤D，向MOCVD反应室中通入氨气与三甲基铝，在所述氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层，其中，所述氨气与三甲基铝的摩尔比介于1000～2000之间，所述氮化铝缓冲层的沉积温度介于550℃～850℃之间； 以及，步骤E，在所述氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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