[发明专利]用于连接管芯的互连结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410055663.3 申请日: 2014-02-18
公开(公告)号: CN104051424B 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 蔡纾婷;杨敦年;刘人诚;周世培;陈愉婷;林佳洁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种结构,该结构包括第一芯片,第一芯片具有第一衬底以及位于第一衬底下方的第一介电层,其中第一金属垫位于第一介电层中。第二芯片包括第二衬底、位于第二衬底上方并且接合至第一介电层的第二介电层以及位于第二介电层中的第二金属垫。导电插塞包括从第一衬底的顶面延伸至第一金属垫的顶面的第一部分以及从第一金属垫的顶面延伸至第二金属垫的顶面的第二部分。第二部分的边缘与第一金属垫的侧壁物理接触。介电层将导电插塞的第一部分与多个第一介电层间隔开。本发明公开了用于连接管芯的互连结构及其制造方法。
搜索关键词: 用于 连接 管芯 互连 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种集成电路结构,包括:第一半导体芯片,包括:第一衬底;多个第一介电层,位于所述第一衬底下方;和第一金属垫,位于所述多个第一介电层的一个介电层中;第二半导体芯片,包括:第二衬底;多个第二介电层,位于所述第二衬底上方,所述多个第一介电层的底层接合至所述多个第二介电层的顶层;和第二金属垫,位于所述多个第二介电层的一个介电层中;导电插塞,将所述第一金属垫电连接至所述第二金属垫,所述导电插塞包括:第一部分,从所述第一衬底的正面延伸至所述第一金属垫的顶面,所述第一部分具有第一宽度;和第二部分,从所述第一金属垫的顶面延伸至所述第二金属垫的顶面,所述第二部分的边缘与所述第一金属垫的侧壁物理接触,所述第二部分具有小于或者等于所述第一宽度的第二宽度;第三部分,从所述第一衬底的正面延伸至所述第一衬底的背面,所述第三部分具有大于所述第一宽度的第三宽度;以及第一电介质层,形成围绕所述导电插塞的第一部分的环,所述第一电介质层将所述导电插塞的所述第一部分与所述多个第一介电层分隔开。
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