[发明专利]LED芯片及其制作方法、LED发光器件有效
| 申请号： | 201410055140.9 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779473A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 徐亮;康学军;李鹏;张冀 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法、LED发光器件，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构、扩散阻挡层和绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层和扩散阻挡层并延伸至所述N型氮化镓层中的第一通孔，并在所述第一通孔内填充金属层形成第一电极；在所述具有第一电极的绝缘层表面形成金属种子层和金属支撑层，并将所述第一衬底与所述发光结构分开；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第二通孔，并在所述第二通孔内填充金属层形成第二电极。本发明中的电极粘附力更强，欧姆接触更良好，从而能够提高LED芯片及LED发光器件的稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构、扩散阻挡层和绝缘层，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层和金属反射层；对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层和扩散阻挡层并延伸至所述N型氮化镓层中的第一通孔，并在所述第一通孔内填充金属层形成第一电极；在所述具有第一电极的绝缘层表面形成金属种子层和金属支撑层，并将所述第一衬底与所述发光结构分开；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第二通孔，并在所述第二通孔内填充金属层形成第二电极。
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