[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，可以实现在制造全环栅晶体管器件的同时，在半导体衬底上制造基于硅纳米线的二极管和双极型晶体管，不会增加额外的工艺和成本。本发明的半导体器件，采用上述的半导体器件的制造方法制备，具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括第一衬底和位于其上的第二衬底的半导体衬底，对所述第二衬底进行刻蚀以形成悬挂的硅纳米线，在形成所述硅纳米线之前还包括对所述第二衬底进行硅原子注入以定义硅纳米线所在区域的步骤；步骤S102：对所述硅纳米线进行离子注入以形成具有第一掺杂类型的硅纳米线；步骤S103：在所述硅纳米线的中间区域形成环绕所述硅纳米线的具有第二掺杂类型的第一外延掺杂层；步骤S104：在所述第一外延掺杂层的中间区域形成环绕所述第一外延掺杂层的具有第一掺杂类型的第二外延掺杂层；其中，第一掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂，第二掺杂类型为P型掺杂或N型掺杂；所述硅纳米线与所述第一外延掺杂层构成二极管；所述硅纳米线与所述第一外延掺杂层以及所述第二外延掺杂层构成双极型晶体管，其中所述硅纳米线为所述双极型晶体管的集电极，所述第一外延掺杂层为所述双极型晶体管的基极，所述第二外延掺杂层为所述双极型晶体管的发射极。