[发明专利]离子注入方法在审
| 申请号： | 201410042291.0 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810260A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入方法，包括：在半导体表面上形成垫氧化层；采用型号为安智电子材料公司（AZ Electronic Material）MiR700型的光阻胶，在所述垫氧化层的表面上涂布光阻胶层；通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层，并根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入。通过本发明提供的离子注入方法，能够有效避免在离子注入过程中造成半导体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入方法，其特征在于，包括：在半导体表面上形成垫氧化层；采用型号为安智电子材料公司MiR700型的光阻胶，在所述垫氧化层的表面上涂布光阻胶层；通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层，并根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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