[发明专利]离子注入方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种离子注入方法。

背景技术

半导体器件制造工艺中，例如，BCD（Bipolar-CMOS-DMOS，双极晶体管-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体）工艺或RFLDMOS（高频横向双扩散金属氧化物半导体）工艺中的下沉层（sinker）注入，通常会涉及到离子注入工艺。具体举例来说，以离子注入的能量为80Kev，注入剂量为7E15为例，现有的离子注入工艺方法通常包括：在半导体表面上涂布光阻胶层，所述光阻胶层的厚度为10000A～15000A；通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层；根据上述离子注入的参数，向所述半导体表面进行离子注入。

在上述方案中，在离子注入过程中，高能量的离子长时间对半导体表面进行轰击，使得注入区的半导体表面由单晶态变为非晶态，而非注入区的半导体仍然是单晶态，这就会在单晶态和非晶态的交界处，产生一个很大的应力，而这个应力可能导致龟裂，造成半导体损伤，影响器件性能。

发明内容

本发明提供一种离子注入方法，用于解决现有离子注入方法容易导致半导体损伤的问题。

本发明提供一种离子注入方法，包括：

在半导体表面上形成垫氧化层；

采用型号为安智电子材料公司MiR700型的光阻胶，在所述垫氧化层的表面上涂布光阻胶层；

通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层，并根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入。

本发明提供的离子注入方法，通过在半导体表面上形成垫氧化层，在所述垫氧化层的表面上涂布型号为安智电子材料公司（AZ Electronic Material）MiR700型的光阻胶，曝光显影后进行离子注入的技术方案，有效避免在离子注入过程中造成半导体损伤。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的离子注入方法的流程示意图；

图2-图6为实施例一执行过程中形成的结构的剖面示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以图中所示大小和比例并不一定代表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。

图1为本发明实施例一提供的离子注入方法的流程示意图，为了对本实施例中的方法进行清楚系统的描述，图2-图6为实施例一执行过程中形成的结构的剖面示意图，如图1所示，所述方法包括以下步骤：

101、在半导体表面上形成垫氧化层。

具体的，执行101之后的所述结构的剖面示意图如图2所示，其中，所述半导体用标号21表示，所述垫氧化层用标号22表示。

其中，所述半导体可以为半导体元素，例如单晶硅、多晶硅或非晶结构的硅或硅锗(SiGe)，也可以为混合的半导体结构，例如碳化硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓、合金半导体或其组合。本实施例在此不对其进行限制。

可选的，所述垫氧化层的厚度可以为300A～600A。具体的，在本实施例中，使用所述垫氧化层作为离子注入的缓冲层，减轻离子注入后形成的注入区和非注入区之间的应力，避免因应力过大造成的半导体损伤。

102、采用型号为安智电子材料公司（AZ Electronic Material）MiR700型的光阻胶，在所述垫氧化层的表面上涂布光阻胶层。

具体的，执行102之后的所述结构的剖面示意图如图3所示，其中，所述光阻胶层用标号31表示。

其中，型号为安智电子材料公司MiR700型的光阻胶，能够更加有效地保护注入区和非注入区交界处的半导体表面，进一步避免半导体损伤。

103、通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层，并根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入。

具体的，执行103之后，将在预设区域下方的半导体表面内形成注入区，相应的，执行103之后的所述结构的剖面示意图如图4所示，其中，所述注入区用标号41表示。

需要说明的是，所述预设区域可以根据实际器件制造工艺中的器件结构确定，图中所示的只是具体举例的一种具体实施方式，本实施例并未对其进行限制。