[发明专利]离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入方法，其特征在于，包括：

在半导体表面上形成垫氧化层；

采用型号为安智电子材料公司MiR700型的光阻胶，在所述垫氧化层的表面上涂布光阻胶层；

通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层，并根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垫氧化层的厚度为300A～600A。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入，具体包括：

通过离子注入，向所述半导体表面注入硼离子，其中，离子注入的剂量为7×10¹⁵ions/cm²，离子注入的能量为100kev。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光阻胶层的厚度为。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述向所述半导体表面进行离子注入之后，还包括：

依次去除所述光阻胶层和所述垫氧化层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除所述垫氧化层，具体包括：

采用氢氟酸，通过清洗处理，去除所述垫氧化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为1%，所述清洗处理的时长为30分钟。