[发明专利]气相生长装置及气相生长方法有效
申请号: | 201410041218.1 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103966574B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 山田拓未;佐藤裕辅 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14;H01L21/205 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 庞乃媛,黄剑锋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施形态的气相生长装置,具备反应室;配置在反应室的上部,具有配置在第1水平面内、互相平行地延伸的多个第1横向气体流路,与第1横向气体流路连接、沿纵向延伸、在反应室一侧具有第1气体喷出孔的多个第1纵向气体流路,配置在比第1水平面靠上方的第2水平面内、沿与第31横向气体流路相同的方向互相平行延伸的多个第2横向气体流路,以及与第2横向气体流路连接、经过第1横向气体流路之间沿纵向延伸、在反应室一侧具有第2气体喷出孔的多个第2纵向流路,给反应室内提供气体的淋浴板;以及设置在反应室内的上述淋浴板下方,能够载置基板的支承部。 | ||
搜索关键词: | 相生 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种气相生长装置,其特征在于,具备:反应室;淋浴板,被配置在上述反应室的上部,具有:提供第1工作气体的第1气体供给通道;与上述第1气体供给通道连接的一对第1歧管;配置在比上述一对第1歧管靠下方的第1水平面内、互相平行地延伸的多个第1横向气体流路;在上述第1横向气体流路的两端部连接上述一对第1歧管和上述第1横向气体流路、沿纵向延伸的第1连接流路;与上述第1横向气体流路连接、沿纵向延伸、在上述反应室一侧具有第1气体喷出孔的多个第1纵向气体流路;提供与上述第1工作气体不同的第2工作气体的第2气体供给通道;与上述第2气体供给通道连接的一对第2歧管;配置在比上述一对第2歧管靠下方并且比上述第1水平面靠上方的第2水平面内、沿与上述第1横向气体流路相同的方向而互相平行延伸的多个第2横向气体流路;在上述第2横向气体流路的两端部连接上述一对第2歧管和上述第2横向气体流路、沿纵向延伸的第2连接流路;以及与上述第2横向气体流路连接、经过上述第1横向气体流路之间沿纵向延伸、在上述反应室一侧具有第2气体喷出孔的多个第2纵向气体流路;该淋浴板给上述反应室内提供气体;以及,支承部,被设置在上述反应室内的上述淋浴板下方,能够载置基板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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