[发明专利]气相生长装置及气相生长方法

权利要求书

1.一种气相生长装置，其特征在于，具备：

反应室；

淋浴板，被配置在上述反应室的上部，具有：配置在第1水平面内、互相平行地延伸的多个第1横向气体流路；与上述第1横向气体流路连接、沿纵向延伸、在上述反应室一侧具有第1气体喷出孔的多个第1纵向气体流路；配置在比上述第1水平面靠上方的第2水平面内、沿与上述第1横向气体流路相同的方向而互相平行延伸的多个第2横向气体流路；以及与上述第2横向气体流路连接、经过上述第1横向气体流路之间沿纵向延伸、在上述反应室一侧具有第2气体喷出孔的多个第2纵向气体流路；该淋浴板给上述反应室内提供气体；以及，

支承部，被设置在上述反应室内的上述淋浴板下方，能够载置基板。

2.如权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，还具备：

提供第1工作气体的第1气体供给通道，以及

提供动粘度比上述第1工作气体小的第2工作气体的第2气体供给通道；

上述第1气体供给通道与上述第1横向气体流路连接，上述第2气体供给通道与上述第2横向气体流路连接。

3.如权利要求2所述的气相生长装置，其特征在于，上述第2纵向气体流路的内径比上述第1纵向气体流路的内径大。

4.如权利要求2所述的气相生长装置，其特征在于，相邻的上述第2纵向气体流路的间隔比相邻的上述第1纵向气体流路的间隔小。

5.如权利要求2所述的气相生长装置，其特征在于，上述第2横向气体流路的内径比上述第1横向气体流路的内径大。

6.如权利要求2所述的气相生长装置，其特征在于，还具备：

第1歧管，被与上述第1气体供给通道连接，设置在比上述第1水平面靠上方；

第1连接流路，在上述第1横向气体流路的端部连接上述第1歧管和上述第1横向气体流路，沿纵向延伸；

第2歧管，被与上述第2气体供给通道连接，设置在比上述第1水平面靠上方；以及，

第2连接流路，在上述第2横向气体流路的端部连接上述第2歧管和上述第2横向气体流路，沿纵向延伸。

7.如权利要求6所述的气相生长装置，其特征在于，存在被连接的上述第1纵向气体流路的数量为k个的第1横向气体流路（k）和为n个的第1横向气体流路（n），其中：k为1以上的整数，k＜n，n为2以上的整数，与上述第1横向气体流路（k）连接的上述第1连接流路的流体阻力比与上述第1横向气体流路（n）连接的上述第1连接流路的流体阻力大；或者，

存在被连接的上述第2纵向气体流路的数量为k个的第2横向气体流路（k）和为n个的第2横向气体流路（n），其中：k为1以上的整数，k＜n，n为2以上的整数，与上述第2横向气体流路（k）连接的上述第2连接流路的流体阻力比与上述第2横向气体流路（n）连接的上述第2连接流路的流体阻力大。

8.如权利要求7所述的气相生长装置，其特征在于，上述第1连接流路（k）的内径比上述第1连接流路（n）的内径小，或者，

上述第2连接流路（k）的内径比上述第2连接流路（n）的内径小。

9.一种使用了气相生长装置的气相生长方法，气相生长装置具备：反应室；淋浴板，被配置在上述反应室的上部，具有：配置在第1水平面内而互相平行地延伸的多个第1横向气体流路；与上述第1横向气体流路连接、沿纵向延伸、在上述反应室一侧具有第1气体喷出孔的多个第1纵向气体流路；配置在比上述第1水平面靠上方的第2水平面内、沿与上述第1横向气体流路相同的方向而互相平行延伸的多个第2横向气体流路；以及与上述第2横向气体流路连接、经过上述第1横向气体流路之间沿纵向延伸、在上述反应室一侧具有第2气体喷出孔的多个第2纵向气体流路，该淋浴板给上述反应室内提供气体；以及支承部，被设置在上述反应室内的上述淋浴板下方，能够载置基板；该气相生长方法的特征在于，

将基板载置到上述支承部上；

加热上述基板；

从上述第1和第2气体喷出孔喷出工作气体；

在上述基板表面形成半导体膜。

10.如权利要求9所述的气相生长方法，其特征在于，上述第2纵向气体流路的内径比上述第1纵向气体流路的内径大；

上述第2横向气体流路的内径比上述第1横向气体流路的内径大；

给上述第2横向气体流路提供动粘度比上述第1横向气体流路小的工作气体，从上述第2气体喷出孔喷出动粘度比从上述第1气体喷出孔喷出的气体小的上述工作气体。