[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，第一晶体管的第一源极连接端子和第一漏极连接端子与第二晶体管的控制栅的材料相同，因此可以在同一工艺中制备，从而可以简化工艺，减小该半导体器件的尺寸。本发明的半导体器件的制造方法，在形成第二晶体管的控制栅的同时形成第一晶体管的第一源极连接端子和第一漏极连接端子，可以简化工艺，并在一定程度上减小该半导体器件的尺寸。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；其中，所述第一晶体管包括：位于所述半导体衬底上的第一栅极介电层以及位于所述第一栅极介电层之上的第一栅极，位于所述半导体衬底内并位于所述第一栅极两侧的第一源极和第一漏极，位于所述第一源极之上的第一源极连接端子以及位于所述第一漏极之上的第一漏极连接端子；所述第二晶体管包括：位于所述半导体衬底上的第二栅极介电层，位于所述第二栅极介电层之上的浮栅，位于所述浮栅之上并与所述第二栅极介电层的一部分相邻接的控制栅，位于所述浮栅与所述控制栅之间将所述浮栅与所述控制栅隔离的第一绝缘层，位于所述半导体衬底内且位于所述浮栅两侧的第二源极和第二漏极，位于所述半导体衬底内且位于所述第二栅极介电层下方的局部掺杂子区；其中，所述浮栅通过所述第二栅极介电层上的开口与所述局部掺杂子区相接触；其中，所述第一源极连接端子和所述第一漏极连接端子的材料与所述控制栅的材料相同。