[发明专利]存储电容、像素单元及存储电容的制造方法在审
| 申请号： | 201410033377.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103792744A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 姚晓慧;许哲豪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种存储电容，包括基底，位于该基底上且由第一金属层形成的第一电极，形成在该基底及该第一电极上的第一绝缘层，形成在该第一绝缘层上的半导体层，形成在该半导体层上的第二金属层，形成在该第一绝缘层、该半导体层及该第二金属层上的第二绝缘层，以及形成在该第二绝缘层及该第二金属层上并作为第二电极的像素电极。该第二绝缘层上开设有一个接触窗以暴露第二金属层。该像素电极经由该接触窗与该暴露的第二金属层电性连接。另，本发明实施例还公开了一种具有该存储电容的像素单元及一种该存储电容的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电容 像素 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储电容，其特征在于，该存储电容(100)包括基底(10)，位于该基底(10)上且由第一金属层形成的第一电极(20)，形成在该基底(10)及该第一电极(20)上的第一绝缘层(30)，形成在该第一绝缘层(30)上的半导体层(40)，形成在该半导体层(40)上的第二金属层(50)，形成在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上的第二绝缘层(60)，以及形成在该第二绝缘层(60)及该第二金属层(50)上并作为第二电极的像素电极(70)，该第二绝缘层(60)上开设有一个接触窗(52)以暴露第二金属层(50)，该像素电极(70)经由该接触窗(52)与该暴露的第二金属层(50)电性连接。
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