[发明专利]存储电容、像素单元及存储电容的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储电容、一种具有该存储电容的像素单元以及一种该存储电容的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管矩阵(Thin Film Transistor Array，TFT Array)是液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)不可获缺的重要显示组件，薄膜晶体管矩阵主要是由多个像素单元(pixel unit)、多条扫描线(scan line)以及多条数据线(data line)组成。这些像素单元电性连接扫描线与数据线，每个像素单元具有薄膜晶体管、液晶电容(liquid crystal capacitor，CLC)以及存储电容(storage capacitor，CS)。其中，薄膜晶体管对液晶电容进行充电以驱动液晶层内的液晶分子，从而使液晶显示器显示影像，同时，薄膜晶体管对存储电容进行充电，该存储电容使液晶电容两端的电压维持在一定值，即，在未进行数据更新之前，液晶电容两端电压通过存储电容维持住。

目前，存储电容包括第一金属层/绝缘层/第二金属层(Metal-Insulator-Metal，MIM)架构及第一金属层/绝缘层/铟锡金属氧化物(Metal-Insulator-ITO，MII)架构两种。其中，由于与薄膜晶体管电性连接的第二金属层下方伴随著半导体层，MIM架构的存储电容在正负翻周时电容值会变化，不稳定的存储电容会使得显示面板的显示特性也不稳定。另外，由于半导体层较与薄膜晶体管电性连接的第二金属层宽，即半导体层会相对第二金属层外漏一部分，可能会释放电子，同样也会影响显示面板的显示特性。而MII架构的存储电容之间的间隙较大，由于电容与距离成反比，若要想获得较大的存储电容值，则需要增大存储电容的面积，如此会降低液晶面板的开口率。

因此，有必要提供能够解决上述问题的存储电容、像素单元及存储电容的制造方法。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种存储电容，包括基底，位于该基底上且由第一金属层形成的第一电极，形成在该基底及该第一电极上的第一绝缘层，形成在该第一绝缘层上的半导体层，形成在该半导体层上的第二金属层，形成在该第一绝缘层、该半导体层及该第二金属层上的第二绝缘层，以及形成在该第二绝缘层及该第二金属层上并作为第二电极的像素电极。该第二绝缘层上开设有一个接触窗以暴露第二金属层。该像素电极经由该接触窗与该暴露的第二金属层电性连接。

其中，该基底由玻璃或者塑胶制成。

其中，该第一电极为钼层、铝层、钛层或铜层，或者是任意两层的堆叠。

其中，该第一电极包括一共享线。

其中，该第一电极包括一扫描线。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种像素单元，包括存储电容及薄膜晶体管。该存储电容包括基底，位于该基底上且由第一金属层形成的第一电极，形成在该基底及该第一电极上的第一绝缘层，形成在该第一绝缘层上的半导体层，形成在该半导体层上的第二金属层，形成在该第一绝缘层、该半导体层及该第二金属层上的第二绝缘层，以及形成在该第二绝缘层及该第二金属层上并作为第二电极的像素电极。该第二绝缘层上开设有一个接触窗以暴露第二金属层。该像素电极经由该接触窗与该暴露的第二金属层电性连接。该薄膜晶体管与该像素电极电性连接。

其中，该第一电极为钼层、铝层、钛层或铜层，或者是任意两层的堆叠。

其中，该第一电极包括一共享线。

其中，该第一电极包括一扫描线。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种存储电容的制造方法，包括以下步骤：提供一个基底；在该基底上形成一个第一金属层，图案化该第一金属层以形成一个第一电极；在该基底及该第一电极上形成一个第一绝缘层；在该第一绝缘层上依次形成一个半导体层及一个第二金属层；在该第一绝缘层、该半导体层及该第二金属层上形成一个第二绝缘层，并暴露一部分的第二金属层；及在该第二绝缘层及该暴露的第二金属层上形成一作为第二电极的像素电极，以使该像素电极与该第二金属层电性接触。