[发明专利]存储电容、像素单元及存储电容的制造方法

权利要求书

1.一种存储电容，其特征在于，该存储电容(100)包括基底(10)，位于该基底(10)上且由第一金属层形成的第一电极(20)，形成在该基底(10)及该第一电极(20)上的第一绝缘层(30)，形成在该第一绝缘层(30)上的半导体层(40)，形成在该半导体层(40)上的第二金属层(50)，形成在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上的第二绝缘层(60)，以及形成在该第二绝缘层(60)及该第二金属层(50)上并作为第二电极的像素电极(70)，该第二绝缘层(60)上开设有一个接触窗(52)以暴露第二金属层(50)，该像素电极(70)经由该接触窗(52)与该暴露的第二金属层(50)电性连接。

2.如权利要求1所述的存储电容，其特征在于，该基底(10)由玻璃或者塑胶制成。

3.如权利要求1所述的存储电容，其特征在于，该第一电极(20)为钼层、铝层、钛层或铜层，或者是任意两层的堆叠。

4.如权利要求1所述的存储电容，其特征在于，该第一电极(20)包括一共享线(205)。

5.如权利要求1所述的存储电容，其特征在于，该第一电极(20)包括一扫描线(202)。

6.一种像素单元，包括存储电容(100)及薄膜晶体管(206)，其特征在于，该存储电容(100)包括基底(10)，位于该基底(10)上且由第一金属层形成的第一电极(20)，形成在该基底(10)及该第一电极(20)上的第一绝缘层(30)，形成在该第一绝缘层(30)上的半导体层(40)，形成在该半导体层(40)上的第二金属层(50)，形成在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上的第二绝缘层(60)，以及形成在该第二绝缘层(60)及该第二金属层(50)上并作为第二电极的像素电极(70)，该第二绝缘层(60)上开设有一个接触窗(52)以暴露第二金属层(50)，该像素电极(70)经由该接触窗(52)与该暴露的第二金属层(50)电性连接，该薄膜晶体管(206)与该像素电极(70)电性连接。

7.如权利要求6所述的像素单元，其特征在于，该第一电极(20)为钼层、铝层、钛层或铜层，或者是任意两层的堆叠。

8.如权利要求6所述的像素单元，其特征在于，该第一电极(20)包括一共享线(205)。

9.如权利要求6所述的像素单元，其特征在于，该第一电极(20)包括一扫描线(202)。

10.一种存储电容的制造方法，包括以下步骤：

提供一个基底(10)；

在该基底(10)上形成一个第一金属层，图案化该第一金属层以形成一个第一电极(20)；

在该基底(10)及该第一电极(20)上形成一个第一绝缘层(30)；

在该第一绝缘层(30)上依次形成一个半导体层(40)及一个第二金属层(50)；

在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上形成一个第二绝缘层(60)，并暴露一部分的第二金属层(50)；及

在该第二绝缘层(60)及该暴露的第二金属层(50)上形成一作为第二电极的像素电极(70)，以使该像素电极(70)与该第二金属层(50)电性接触。