[发明专利]阵列基板及其制作方法和液晶显示装置在审
| 申请号： | 201410031062.9 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103794556A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;任健;唐磊;裴扬 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，能够增大存储电容，从而提高显示装置的显示效果。该阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
