[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 201410029613.8 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943612B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曾峥;柯庆忠;黄柏狮 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 张金芝,杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护装置，其包括具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；形成在该第一阱区的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接到该第一阱区，其中，该第一金属触点和该第二金属触点被布置在第一阱区的多晶硅图样隔开，该第二金属触点被设置在第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度小于该第一掺杂区的掺杂浓度，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱区的掺杂浓度。该静电放电保护装置能够在高速电路中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护装置包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；形成在该第一阱区的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接到该第一阱区，其中，该第一金属触点和该第二金属触点被布置在该第一阱区的多晶硅图样隔开，该第二金属触点被设置在该第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度小于该第一掺杂区的掺杂浓度，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱区的掺杂浓度。
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