[发明专利]静电放电保护装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种静电放电（electrostatic discharge，ESD）保护装置，特别涉及由一个肖特基二极管（Schottky diode）形成的静电放电保护装置，以用于输入/输出（I/O）装置。

背景技术

用于输入/输出（I/O）装置的静电放电（ESD）保护装置是出色的ESD保护以及具有低容性负载。传统的用于输入/输出（I/O）装置的ESD保护装置包括浅沟槽隔离（shallow trench isolation,STI）二极管或门控二极管（gated diodes）。然而，STI的设计规则限制了STI二极管的尺寸收缩。而且，传统的ESD保护装置不适合用于高速电路（如射频接口），因为传统的STI二极管和门控二极管分流出大部分的RF信号，通过高寄生结电容（parasitic junction capacitance）到电源（VDD/VSS）线。

因此，需要一种用于输入/输出（I/O）装置的新型ESD保护装置结构。

发明内容

本发明揭示一种新型的静电放电保护装置。

本发明一实施例提供一种静电放电保护装置，包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接到该第一阱区，其中，该第一金属触点和该第二金属触点被布置在第一阱区的多晶硅图样隔开。

本发明另一实施例提供一种静电放电保护装置，包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接该第一阱区，其中，该第一阱区上表面的位于该第一金属触点与该第二金属触点之间的至少一部分不具有硅化物。

本发明又一实施例提供一种静电放电保护装置，包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接该第一阱区，其中，没有掺杂区形成在该第二金属触点以及该第一阱区之间。

本发明提供的上述静电放电保护装置适合于在高速电路中使用。

附图说明

图1是本发明提供的ESD保护装置的示例性实施例的电路图；

图2A是本发明提供的ESD保护装置的示例性实施例布局的顶视图；

图2B是本发明提供的沿图2A的A-A'线的ESD保护装置的示例性实施例的横截面；

图3A是本发明提供的ESD保护装置的多种示例性实施例布局的顶视图；

图3B以及图3C是本发明提供的沿图3A的A-A'线的ESD保护装置的多种示例性实施例的横截面；

图4A以及5A出示用于制造本发明ESD保护装置的另一种示例性实施例的中间工艺的顶视图；

图4B以及图5B是沿图4A以及图5A的A-A'线的ESD保护装置的另一示例性实施例的横截面；

图6A以及7A出示用于制造本发明ESD保护装置的又一种示例性实施例的中间工艺的顶视图；

图6B，7B以及7C是沿图6A以及图7A的A-A'线的ESD保护装置的其他示例性实施例提供的横截面。

具体实施方式

下面描述是用于执行本发明的实施例。下面的描述是用于说明本发明的一般原理而不应被视为具有限制意义。本发明的范围通过参考所附权利要求来确定。在说明书的描述中，在附图和说明书中的相同的附图标记用于来指代相同或相似的部件。

下面将结合特定实施例并参照附图来描述本发明，但是本发明不限于此。所描述的附图仅仅是示意性的而并非用于限制本发明。需要说明的是，在附图中，一些元件的尺寸可以被扩大并且不按比例绘制。这些尺寸和相关的尺寸可以不对应实施本发明的实际尺寸。