[发明专利]具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器在审
| 申请号： | 201410012754.9 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104157652A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈纬仁;徐徳训;李文豪 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，其包括：一基板结构；一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一沟道区域位于一N型阱区内；以及一抹除栅区域，包括一P型阱区与一n型源/漏区域，该n型源/漏区域连接至一抹除线电压，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该抹除栅区域；其中，该P型阱区与该N型阱区形成于该基板结构中，该栅极氧化层包括一第一部分位于该沟道区域上方，以及一第二部分位于该抹除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 单一 多晶 硅层非 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，包括：基板结构；浮动栅极晶体管，包括浮动栅极、栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及沟道区域位于一N型阱区内；以及抹除栅区域，包括P型阱区与n型源/漏区域，该n型源/漏区域连接至一抹除线电压，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该抹除栅区域；其中，该P型阱区与该N型阱区形成于该基板结构中，该栅极氧化层包括第一部分位于该沟道区域上方，以及第二部分位于该抹除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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