[发明专利]大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺有效
| 申请号： | 201410004363.2 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN104762656B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;王剑;高超;董鹏;赵剑;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺。本发明中的工艺包括如下依次的步骤1）将硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括相继进行的较短时间（0.25～1小时）的高温（1150～1250℃）普通热处理和高温（1200～1250℃）快速热处理；2）在惰性气氛下进行低温普通热处理；3）在惰性气氛下进行高温普通热处理。大直径直拉硅片由于晶体生长的热历史很长，因此往往存在较多的原生氧沉淀（即在晶体生长过程中必然形成的氧沉淀），若内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理，则在硅片体内形成的氧沉淀及其诱生缺陷的密度较低，导致硅片的吸杂能力不理想。利用本发明的工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀及其诱生缺陷，并在硅片近表面区域形成洁净区。与内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理的情形相比，本工艺可以提高硅片的内吸杂能力并有效减少热预算。 | ||
| 搜索关键词： | 径直 硅片 一种 杂工 | ||
【主权项】：
大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片于惰性气氛下进行高温预处理，所述的高温预处理为：首先进行高温普通热处理，然后进行高温快速热处理；所述的高温普通热处理的温度为1150～1250℃，热处理时间为0.25～1小时；2)将经步骤1)处理的硅片进行惰性气氛下的低温普通热处理；3)将经步骤2)处理的硅片进行惰性气氛下的中高温普通热处理；所述的惰性气氛为氩气或氮气。
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