[发明专利]大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺有效
| 申请号： | 201410004363.2 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN104762656B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;王剑;高超;董鹏;赵剑;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 径直 硅片 一种 杂工 | ||
1.大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺，其特征在于包括以下步骤：
1)将硅片于惰性气氛下进行高温预处理，所述的高温预处理为：首先进行高温普通热处理，然后进行高温快速热处理；所述的高温普通热处理的温度为1150～1250℃，热处理时间为0.25～1小时；
2)将经步骤1)处理的硅片进行惰性气氛下的低温普通热处理；
3)将经步骤2)处理的硅片进行惰性气氛下的中高温普通热处理；
所述的惰性气氛为氩气或氮气。
2.根据权利要求1所述的内吸杂工艺，其特征在于：步骤1)中所述的高温快速热处理的温度为1200～1250℃，升温速率为50～100℃/秒，1200～1250℃温度的维持时间为30～120秒，冷却速率为10～100℃/秒。
3.根据权利要求1所述的内吸杂工艺，其特征在于：步骤1)中所述的高温普通热处理的温度为1200～1250℃，热处理时间为0.5～0.75小时。
4.根据权利要求1所述的内吸杂工艺，其特征在于：步骤1)中所述的高温快速热处理的温度为1200～1250℃，升温速率为50～100℃/秒，1200～1250℃温度的维持时间为30～60秒，冷却速率为50～100℃/秒。
5.根据权利要求1所述的内吸杂工艺，其特征在于：步骤2)中所述的低温普通热处理温度为650～850℃，热处理时间为4～8小时。
6.根据权利要求1所述的内吸杂工艺，其特征在于：步骤3)中所述的中高温普通热处理温度为900～1050℃，热处理时间为4～10小时。
7.根据权利要求6所述的内吸杂工艺，其特征在于：步骤3)中所述的中高温普通热处理温度为1000～1050℃，热处理时间为6～8小时。
8.根据权利要求1-7任一项所述的内吸杂工艺，其特征在于：所述硅片的直径为150mm以上。
9.根据权利要求8所述的内吸杂工艺，其特征在于：所述硅片的直径为200mm以上。
10.根据权利要求9所述的内吸杂工艺，其特征在于：所述硅片的直径为200mm～300mm。
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