[发明专利]多裸晶、高电流晶圆级封装

摘要

描述了用于高电流应用的晶圆级封装半导体装置，其具有用于提供电互连的支柱。在实施方式中，晶圆级封装装置包括集成电路芯片，所述集成电路芯片具有至少一个附在所述集成电路芯片上形成的支柱。支柱构造成提供与集成电路芯片的电互连。晶圆级封装装置还包括被构造以支承所述支柱的封装结构。晶圆级封装装置还包括构造在集成电路芯片（例如大的裸晶）上的集成电路芯片装置（例如小的裸晶）。在晶圆级封装装置中，集成电路芯片装置的高度小于支柱的高度和/或小于支柱和一个或多个焊接触点的组合高度。

主权项

1.一种方法，其包括：在半导体晶圆上形成支柱，所述支柱从所述半导体晶圆延伸至所述半导体晶圆上方的第一高度处；将集成电路芯片装置连接至所述半导体晶圆，所述集成电路芯片装置从所述半导体晶圆延伸至所述半导体晶圆上方的第二高度处；附在所述半导体晶圆上形成封装结构，所述封装结构至少大体上封装所述支柱；以及将至少一个焊接触点施加至所述支柱，所述至少一个焊接触点位于所述半导体晶圆上方的第三高度处，其中所述第二高度小于所述第一高度和所述第三高度中的至少一个，其中在所述半导体晶圆上形成所述支柱的步骤包括：将覆盖籽晶层沉积在所述半导体晶圆上；将第一光阻层施加附在所述半导体晶圆上；对所述第一光阻层图样化并蚀刻以形成蚀刻区域；将导电材料沉积在所述蚀刻区域中以形成所述支柱的第一层；至少大体上去除所述第一光阻层；将第二光阻层施加附在所述半导体晶圆上；对所述第二光阻层图样化并蚀刻以形成所述第二光阻层的蚀刻区域；将导电材料沉积在所述第二光阻层的蚀刻区域中以形成所述支柱的第二层；至少大体上去除所述第二光阻层；以及对所述覆盖籽晶层蚀刻。