[发明专利]信号路径和制造多重图案化的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410001110.X | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103915406A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | D·H·艾伦;D·M·德万兹;D·P·鲍尔森;J·E·希茨二世 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种多重图形化的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括有信号迹线的一个或更多层。信号迹线具有质量特性。半导体器件还包括中继器库，以对信号再供电。制造方法包括用具有信号迹线图案的光掩膜来限定层的部分，确定信号迹线图案的质量特性，并且选择用于蚀刻通孔的光掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 信号 路径 制造 多重 图案 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：信号导体层，具有由第一掩膜限定的第一信号迹线组和由第二掩膜限定的第二信号迹线组，所述第一信号迹线组具有第一质量特性，并且所述第二信号迹线组具有第二质量特性；第一信号路径，包括：第一信号迹线段，来自具有第一长度的所述第一信号迹线组；第二信号迹线段，来自具有第二长度的所述第二信号迹线组；第三信号迹线段，来自具有所述第一长度的所述第一信号迹线组；第一再供电块，适于将所述第一信号路径从所述第一信号迹线段转移到所述第二信号迹线段；第二再供电块，适于将所述第一信号路径从所述第二信号迹线段转移到所述第三信号迹线段；并且当所述第一质量特性大于所述第二质量特性时，所述第一信号迹线段比所述第二信号迹线段更长，当所述第二质量特性大于所述第一质量特性时，所述第二信号迹线段比所述第一信号迹线段更长，并且当所述第一质量特性与所述第二质量特性基本上相等时，所述第一信号迹线段长度和所述第二信号迹线段长度不受约束。
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