[发明专利]半导体设备和制造半导体设备的方法有效
| 申请号： | 201380079273.3 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN105593978B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | N·葛;L·Y·蔡;P·C·李;J·J·兰多 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王健;张涛 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种半导体设备和形成半导体设备的方法。在示例中，在衬底上沉积具有至少一个多晶硅环的多晶硅层。使用多晶硅层作为掩膜掺杂衬底以在衬底中形成掺杂区域。在多晶硅层和衬底上沉积介电层。蚀刻介电层以暴露部分多晶硅层。在介电层上沉积金属层。蚀刻金属层、介电层和多晶硅层的暴露部分，使得至少去除每个多晶硅环的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体设备的方法，包括：在衬底上沉积具有至少一个多晶硅环的多晶硅层；使用多晶硅层作为掩膜掺杂衬底以在衬底中形成掺杂区域；在多晶硅层和衬底上沉积介电层；蚀刻介电层以暴露部分多晶硅层；在介电层上沉积金属层；以及蚀刻金属层、介电层和多晶硅层的暴露部分，使得至少去除每个多晶硅环的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
