[发明专利]半导体设备和制造半导体设备的方法

权利要求书

1.一种形成半导体设备的方法，包括：

在衬底上沉积具有至少一个多晶硅环的多晶硅层；

使用多晶硅层作为掩膜掺杂衬底以在衬底中形成掺杂区域；

在多晶硅层和衬底上沉积介电层；

蚀刻介电层以暴露部分多晶硅层；

在介电层上沉积金属层；以及

蚀刻金属层、介电层和多晶硅层的暴露部分，使得至少去除每个多晶硅环的一部分。

2.权利要求1所述的方法，其中至少一个多晶硅环包含第一多晶硅环，且其中掺杂步骤包含形成由第二掺杂区域环绕并与第二掺杂区域间隔开的第一掺杂区域。

3.权利要求2所述的方法，其中在蚀刻步骤后，第一多晶硅环仅横跨第一掺杂区域和第二掺杂区域间的一部分空间。

4.权利要求1所述的方法，其中衬底是P型衬底并且掺杂区域是N+掺杂区域。

5.一种在衬底中形成晶体管的方法，包括：

在衬底上形成具有至少一个栅环的栅层；

掺杂衬底以在衬底中形成掺杂的源极和漏极区域；

在栅层和衬底上形成介电层；

蚀刻介电层以暴露部分栅层；

在介电层上沉积金属层；以及

蚀刻金属层、介电层和栅层的暴露部分，使得至少去除每个栅环的一部分。

6.权利要求5所述的方法，其中至少一个栅环包含第一栅环，且其中掺杂的步骤包含形成由源极区域环绕的漏极区域，在所述源极区域和漏极区域之间具有沟道。

7.权利要求6所述的方法，其中在蚀刻步骤后，第一栅环仅横跨源极和漏极区域间的沟道的一部分。

8.权利要求5所述的方法，其中衬底是P型衬底，并且源极和漏极区域是N+掺杂区域。

9.一种半导体设备，包括：

衬底；

在衬底中形成的漏极区域；

在漏极区域周围形成的源极区域，在所述源极区域和漏极区域间具有沟道，该沟道使用衬底上的栅环作为掩膜形成；以及

仅在沟道的第一部分上形成的栅极，所述栅极是栅环的第一部分并且通过去除所述栅环的第二部分而形成，从而没有栅极横跨所述沟道的第二部分。

10.权利要求9所述的半导体设备，其中衬底是P型衬底，并且源极和漏极区域是N+掺杂区域。