[发明专利]半导体设备和制造半导体设备的方法

说明书

公开了一种半导体设备和形成半导体设备的方法。在示例中，在衬底上沉积具有至少一个多晶硅环的多晶硅层。使用多晶硅层作为掩膜掺杂衬底以在衬底中形成掺杂区域。在多晶硅层和衬底上沉积介电层。蚀刻介电层以暴露部分多晶硅层。在介电层上沉积金属层。蚀刻金属层、介电层和多晶硅层的暴露部分，使得至少去除每个多晶硅环的一部分。

背景技术

喷墨技术广泛用于精确并快速地分散少量流体。喷墨打印机通过在发射室(firing chamber)内生成短高压脉冲把流体液滴从喷嘴喷射出。在打印期间，这个喷射工艺可每秒重复数千次。喷墨打印设备使用半导体设备来实现，该半导体设备例如是热喷墨(TIJ)设备或压电式喷墨(PIJ)设备。例如，TIJ设备是包含发射室中的加热元件(例如电阻器)以及其他集成电路的半导体设备。为了喷射液滴，电流通过加热元件。当加热元件产生热时，发射室内的少部分流体被蒸发。蒸汽快速扩散，迫使小液滴离开发射室和喷嘴。然后关闭电流并且加热元件冷却。蒸汽泡迅速崩塌，从而吸入更多流体到发射室。

附图说明

相对于下面的附图描述本发明的一些实施例：

图1是根据示例实施方式的喷墨打印机的框图。

图2A至2C显示了根据示例实施方式的半导体设备的横截面。

图3A和3B显示了根据示例实施方式的在部分栅蚀刻前的半导体设备的各个顶视图和横截面视图。

图4A和4B显示了根据示例实施方式的在部分栅蚀刻后的半导体设备的各个顶视图和横截面视图。

图5A是显示出根据示例实施方式的晶体管电路的示意图。

图5B是根据示例实施方式的在部分栅蚀刻前形成在衬底上的图5的电路的顶视图。

图6是根据示例实施方式的形成半导体设备的方法的流程图。

图7是根据示例实施方式的在衬底中形成晶体管的方法的流程图。

具体实施方式

图1是根据示例实施方式的喷墨打印机102的框图。喷墨打印机102包含打印控制器106和打印头108。打印控制器106耦合到打印头108。打印控制器106接收表示将被打印到介质(为了清楚没有显示介质)的图像的打印数据。打印控制器106产生信号以用于激活打印头108上的液滴喷射器，从而将墨液喷射到介质上并产生图像。打印控制器106基于打印数据向打印头108提供信号。

打印控制器106包含处理器120、存储器122、输入/输出(IO)电路116和各种支持电路118。处理器120可包含本领域已知的任何类型的微处理器。支持电路118可包含高速缓冲存储器(cache)、电源供应器、时钟电路、数据寄存器等等。存储器122可包含随机存取存储器、只读存储器、高速缓冲存储器、磁性读/写存储器等或这种存储器设备的任何组合。IO电路116可耦合到打印头108。IO电路116还可耦合到外部设备，例如计算机104。例如，IO电路116可从外部设备(例如计算机104)接收打印数据，并使用IO电路116将信号提供给打印头108。

打印头108包含多个液滴喷射器110和相关联的集成电路111。液滴喷射器110是与墨液源(未示出)流体连通以便接收墨液。例如，墨液可从容器被提供。在示例中，打印头108是热喷墨(TIJ)设备。液滴喷射器110通常包含加热元件、发射室和喷嘴。来自墨液源的墨液填充发射室。为了喷射液滴，电路111产生的电流通过临近发射室放置的加热器元件。加热元件产生热，热蒸发发射室内的少部分流体。蒸汽迅速膨胀，迫使小液滴离开发射室和喷嘴。然后关闭电流并且电阻器冷却。蒸汽泡迅速崩塌，从而从墨液源吸入更多流体到发射室。