[发明专利]聚合物有机半导体组合物

摘要

本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

主权项

1.多环芳族烃无规共聚物，其包含至少一种具有式(A)的苯并硫属元素吩并苯并硫属元素吩单体单元、和至少一种具有式(B)的芴单体单元、以及至少一种具有式(C)的三芳基胺单体单元的混合物：其中，Y1和Y2独立地为S或Se；k为0或1；l为0或1；n'为0、1、2或3；其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12各自相同或不同，独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C1‑C40烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40炔基；任选地取代的C3‑C40环烷基；任选地取代的C6‑C40芳基；任选地取代的C1‑C40杂环基；任选地取代的C1‑C40杂芳基；任选地取代的C1‑C40烷氧基；任选地取代的C6‑C40芳氧基；任选地取代的C7‑C40烷芳氧基；任选地取代的C2‑C40烷氧羰基；任选地取代的C7‑C40芳氧羰基；氰基(‑CN)；氨基甲酰基；羰基；羧基；氰酸酯基(‑OCN)；异氰基(‑NC)；异氰酸酯基(‑NCO)；硫氰酸酯基(‑SCN)或异硫氰酸酯基(‑NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF3基团；卤素基团Cl、Br、F、I；‑SO3H；‑SF5；任选地取代的甲硅烷基；其中R1、R3、R4、R6、R7、R9、R10、和R12的至少两个为到另外的具有式(A)、(B)或(C)的单体单元的由‑*代表的键；和其中各R1'、R2'、R3'和R4'各自相同或不同，选自与以上对于单体(A)已经定义的R1、R2、R3、R4相同的基团，和对于单体基团(A)，‑*代表到另外的具有式(A)、(B)或(C)的单体单元的键，其中Ar1、Ar2和Ar3相同或不同，各自独立地代表任选地取代的单环的或多环的C6‑40芳族基团，和对于单体基团(C)，‑*代表到另外的具有式(A)、(B)或(C)的单体单元的键，和其中所述多环芳族烃无规共聚物包含所述共聚物中的所有单体单元(A)、(B)和(C)的总量的至少10重量％的单体单元(A)，至少40重量％的单体单元(B)，以及20‑50重量％的单体单元(C)，排除其中单体单元(C)的量为20重量％的情况。