[发明专利]经由用于硅上异质集成的模板工程的改进的包覆层外延

摘要

一种设备，包括：半导体主体，所述半导体主体包括沟道区以及设置在所述沟道区的相对的侧上的结区，所述半导体主体包括：具有第一带隙的第一材料；以及多个纳米线，所述纳米线包括第二材料，所述第二材料具有与所述第一带隙不同的第二带隙，所述多个纳米线设置在延伸穿过所述第一材料的分立平面中以使得所述第一材料围绕多个纳米线中的每者；以及设置在所述沟道区上的栅极堆叠体。一种方法，包括：在衬底上方的分立平面中形成多个纳米线，所述多个纳米线中的每者包括具有第一带隙的材料；在所述多个纳米线中的每者周围独立地形成包覆材料，所述包覆材料具有第二带隙；使所述包覆材料接合；以及在所述包覆材料上设置栅极堆叠体。

主权项

1.一种半导体设备，包括：三维半导体主体，所述三维半导体主体包括沟道区以及设置在所述沟道区的相对的侧上的结区，所述三维半导体主体包括：具有第一带隙的第一材料；以及包括第二材料的多个纳米线，所述第二材料具有与所述第一带隙不同的第二带隙，所述多个纳米线设置在延伸穿过所述第一材料的分立平面中，以使得接合成一个主体的所述第一材料围绕所述多个纳米线中的每个纳米线，从而形成鳍状物，其中所述多个纳米线沿所述沟道区的长度方向设置；以及设置在所述沟道区上的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括设置在栅极电介质上的栅极电极，其中，所述第一材料的带隙小于所述第二材料的带隙。