[发明专利]具有最大顺从性和自由表面弛豫的Ge和III-V族沟道半导体器件

摘要

说明了具有最大顺从性和自由表面弛豫的Ge和III‑V族沟道半导体器件及制造这种Ge和III‑V族沟道半导体器件的方法。例如，一种半导体器件包括布置在半导体衬底上的半导体鳍状物。半导体鳍状物具有中心突出或凹陷段，沿半导体鳍状物的长度与突出外侧段对间隔开。覆层区布置在半导体鳍状物的中心突出或凹陷段上。栅极叠置体布置在覆层区上。源极区/漏极区布置在半导体鳍状物的所述突出外侧段对中。

主权项

1.一种半导体结构，包括：半导体鳍状物，所述半导体鳍状物被布置为与半导体衬底连续并从所述半导体衬底突出，所述半导体鳍状物具有中心段，所述中心段沿所述半导体鳍状物的长度与第一外侧段和第二外侧段间隔开，其中所述中心段与所述第一外侧段由第一绝缘隔离区间隔开，所述中心段与所述第二外侧段由第二绝缘隔离区间隔开；覆层，所述覆层被布置在所述半导体鳍状物上，所述覆层包括位于所述半导体鳍状物的中心段上的第一部分、位于所述半导体鳍状物的第一外侧段上的第二部分、和位于所述半导体鳍状物的第二外侧段上的第三部分，其中，所述覆层的第一部分与所述覆层的第二部分和第三部分相邻；栅极电极，所述栅极电极位于所述覆层的第一部分的顶部表面上方，并与所述覆层的第一部分的侧壁横向相邻；源极区，所述源极区位于所述覆层的第二部分中；以及漏极区，所述漏极区位于所述覆层的第三部分中。