[发明专利]在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O半导体器件和逻辑半导体器件有效
| 申请号： | 201380079015.5 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105593992B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | R·W·奥拉-沃;W·M·哈菲兹;C-H·简;P-C·刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 说明了在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件及制造在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件的方法。例如，一种半导体结构包括布置在衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件具有导电类型，并包括具有第一功函数的栅极电极。半导体结构还包括布置在衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件具有所述导电类型，并包括具有不同的第二功函数的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 共同 衬底 具有 不同 函数 平面 逻辑 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种片上系统(SoC)集成电路，包括：/nN型I/O晶体管，所述N型I/O晶体管布置在衬底上方，所述N型I/O晶体管包括具有第一功函数层和第一栅极长度的栅极电极；以及/nN型逻辑晶体管，所述N型逻辑晶体管布置在所述衬底上方，所述N型逻辑晶体管包括具有第二功函数层和小于所述第一栅极长度的第二栅极长度的栅极电极，所述第二功函数层具有的功函数低于所述第一功函数层的功函数，其中，在所述N型I/O晶体管中不包括所述第二功函数层并且在所述N型逻辑晶体管中不包括所述第一功函数层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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