[发明专利]用于光半导体装置用引线框的基体及其制造方法、使用该基体的光半导体装置用引线框及其制造方法、以及光半导体装置无效

专利信息
申请号: 201380078695.9 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN105453283A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 小林良聪;中津川达也;座间悟;松田晃;铃木智 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L31/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种光半导体装置用引线框的基体,其通过轧制加工而形成,其中,以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在相对于轧制方向的平行方向和垂直方向上分别为500%以上,并且,其平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比是0.8~1.2。
搜索关键词: 用于 半导体 装置 引线 基体 及其 制造 方法 使用 以及
【主权项】:
一种用于光半导体装置用引线框的基体,该基体通过轧制加工而形成,所述用于光半导体装置用引线框的基体的特征在于,以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在相对于轧制方向的平行方向和垂直方向上分别为500%以上,并且,该平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比是0.8~1.2。
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