[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380075504.3 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105103278B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 吉田一男;根岸将人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具备：安装基板；粘接剂，其涂敷于该安装基板；以及器件，其利用该粘接剂将下表面与该安装基板粘接，该器件的侧面上部与该器件的侧面下部相比表面粗糙度较小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：安装基板；粘接剂，其涂敷于所述安装基板；以及器件，其利用所述粘接剂将下表面与所述安装基板粘接，所述器件的侧面上部与所述器件的侧面下部相比表面粗糙度较小，所述侧面下部成为多孔质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
