[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380070544.9 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104919577A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 岛崎洸一;广濑嘉胤 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了提供ESD耐受能力高的半导体装置，多个源布线(22)分别由相同形状的金属膜构成，使多个源(12)分别与接地电压布线(22a)电连接，多个漏布线(23)分别由相同形状的金属膜构成，使多个漏(12)分别与输入电压布线(23a)电连接，多个栅布线(21)分别由相同形状的金属膜构成，使多个栅(11)分别与接地电压布线(22a)电连接。而且，背栅布线(24)由金属膜构成，使背栅(14)与接地电压布线(22a)电连接，背栅布线(24)从源(12)上的源布线(22)分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备ESD保护电路用的NMOS晶体管，其中，该半导体装置具有：所述NMOS晶体管，其具备：交替配置的多个源和多个漏、形成于所述源与所述漏之间的多个且为偶数个的沟道、设于所述多个且为偶数个的沟道之上的多个栅、以及配置于所述多个源中最端部的所述多个源的附近的背栅；接地电压布线，其与外部连接用的接地电压焊盘电连接；输入电压布线，其与外部连接用的输入电压焊盘电连接；多个源布线，其分别由相同形状的金属膜构成，使所述多个源分别与所述接地电压布线电连接；多个漏布线，其分别由相同形状的金属膜构成，使所述多个漏分别与所述输入电压布线电连接；多个栅布线，其分别由金属膜构成，使所述多个栅分别与所述接地电压布线电连接；以及背栅布线，其由金属膜构成，且从所述多个源布线分离，使所述背栅与所述接地电压布线电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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