[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置(SC)为一个芯片区域通过分割曝光而形成的半导体装置。层间绝缘膜(II2～II6)在元件形成区域中具有通路(VH1～VH5)和布线槽(IT1～IT5)，且在保护环区域中具有保护环用孔(GH2～GH6)。布线用导电层(CL1～CL5)形成在通路(VH1～VH5)和布线槽(IT1～IT5)内。保护环用导电层(GRP2～GRP6)形成在保护环用孔(GH2～GH6)内。保护环用导电层(GRP3～GRP6)的宽度的最小尺寸(D2A～D5A)比通路(VH2～VH5)内的布线用导电层(CL2～CL5)的宽度的最小尺寸(D2B～D5B)大。

主权项

一种半导体装置，在一个芯片区域内具有元件形成区域和俯视时包围所述元件形成区域的周围的保护环区域，且所述一个芯片区域通过分割曝光形成，其中，所述半导体装置(SC)具有：层间绝缘膜(II3～II6)，具有形成在所述元件形成区域上的通路孔(VH2～VH5)和在所述通路孔(VH2～VH5)上与所述通路孔(VH2～VH5)连通的布线槽(IT2～IT5)，并且具有在所述保护环区域中以包围所述元件形成区域的方式延伸的保护环用孔(GH3～GH6)；布线用导电层(CL2～CL5)，具有形成在所述通路孔(VH2～VH5)和所述布线槽(IT2～IT5)内的部分；以及保护环用导电层(GRP3～GRP6)，具有形成在所述保护环用孔(GH3～GH6)内的部分，所述保护环用导电层(GRP3～GRP6)的宽度的最小尺寸(D2A～D5A)比所述通路孔(VH2～VH5)内的所述布线用导电层(CL2～CL5)的宽度的最小尺寸(D2B～D5B)大，所述保护环用导电层具有第一图案部和第二图案部，所述第一图案部包围所述元件形成区域的周围的一部分，所述第二图案部包围所述元件形成区域的周围的剩下的部分，所述第一图案部与所述第二图案部彼此连接，在所述第一图案部与所述第二图案部的边界部上产生台阶。