[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在一个芯片区域内具有元件形成区域和俯视时包围所述元件形成区域的周围的保护环区域，且所述一个芯片区域通过分割曝光形成，其中，

所述半导体装置(SC)具有：

层间绝缘膜(II3～II6)，具有形成在所述元件形成区域上的通路孔(VH2～VH5)和在所述通路孔(VH2～VH5)上与所述通路孔(VH2～VH5)连通的布线槽(IT2～IT5)，并且具有在所述保护环区域中以包围所述元件形成区域的方式延伸的保护环用孔(GH3～GH6)；

布线用导电层(CL2～CL5)，具有形成在所述通路孔(VH2～VH5)和所述布线槽(IT2～IT5)内的部分；以及

保护环用导电层(GRP3～GRP6)，具有形成在所述保护环用孔(GH3～GH6)内的部分，

所述保护环用导电层(GRP3～GRP6)的宽度的最小尺寸(D2A～D5A)比所述通路孔(VH2～VH5)内的所述布线用导电层(CL2～CL5)的宽度的最小尺寸(D2B～D5B)大，

所述保护环用导电层具有第一图案部和第二图案部，所述第一图案部包围所述元件形成区域的周围的一部分，所述第二图案部包围所述元件形成区域的周围的剩下的部分，所述第一图案部与所述第二图案部彼此连接，在所述第一图案部与所述第二图案部的边界部上产生台阶。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述保护环区域上形成有保护环层压体，该保护环层压体具有使多个所述保护环用导电层(GRP3～GRP6)在上下彼此层压的结构，

所述保护环层压体的多个所述保护环用导电层(GRP3～GRP6)各自的宽度的最小尺寸(D1A～D5A)中，上层侧的所述保护环用导电层(GRP3～GRP6)较大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述保护环用孔(GH3～GH6)具有第1孔部(FH3～FH6)和第2孔部(SH3～SH6)，

所述第2孔部(SH3～SH6)在所述第1孔部(FH3～FH6)上与所述第1孔部(FH3～FH6)连通，且具有比所述第1孔部(FH3～FH6)的宽度大的宽度，

所述第1孔部(FH3～FH6)内的所述保护环用导电层(GRP3～GRP6)的宽度的最小尺寸(D2A～D5A)比所述通路孔(VH2～VH5)内的所述布线用导电层(CL2～CL5)的宽度的最小尺寸(D2B～D5B)大。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述保护环用孔(GH3～GH6)的壁面在与所述保护环用孔(GH3～GH6)的延伸方向交叉的截面中以直线状延伸而贯通所述层间绝缘膜(II3～II6)。

5.一种半导体装置，在一个芯片区域内具有元件形成区域和包围所述元件形成区域的周围的保护环区域，所述一个芯片区域通过分割曝光形成，其中，

所述半导体装置(SC)具有：

层间绝缘膜(II3～II6)，具有在所述保护环区域中以包围所述元件形成区域的方式延伸的保护环用孔(GH3～GH6)；以及

保护环用导电层(GRP、GRP3～GRP6)，埋入在所述保护环用孔(GH3～GH6)内，

所述保护环用导电层(GRP、GRP3～GRP6)具有在俯视时沿彼此不同的方向延伸的第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)，并具有所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)彼此交叉的形状。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

俯视时的所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)的交叉角度比0°大且小于180°。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)的线宽(w1a、w1b、w2a、w2b)相同，所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)彼此垂直。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)的线宽(w1a、w1b、w2a、w2b)彼此不同，所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)彼此垂直。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第1和第2部分(GRL1、GRL2、GRR1、GRR2)彼此倾斜地交叉。