[发明专利]具有栅极氧化物层处减小电场的半导体器件有效
| 申请号： | 201380068265.9 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105103297B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | Q.张;B.哈尔 | 申请（专利权）人： | 科锐 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/749;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/332;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件，例如功率MOSFET、IGBT或MOS晶闸管，例如由SiC制成，具有在栅极氧化物层界面处的减小的电场。在一个实施例中，器件包括栅极（36）、源极（34）和漏极，其中栅极至少部分地接触栅极氧化物层（40）。为了减小在栅极氧化物层上的电场，器件具有在例如N型JFET区的第二相对的导电类型的JFET区（52）内的例如P+型区的第一导电类型的高掺杂区（46’），所述JFET区（52）是例如N型漂移区的所述第二导电类型的漂移区（42）的一部分，位于例如P+型阱的所述第一导电类型的高掺杂阱（50）之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 氧化物 减小 电场 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，其包括栅极、漏极和源极，其中所述栅极至少部分地与栅极氧化物接触，其中多个掺杂区存在于限定在所述晶体管器件的多个阱区之间的结场效应JFET区内，并且完全在所述JFET区的顶表面下方，且完全在所述JFET区内以及完全在所述多个阱区之间，以便减小在所述栅极氧化物上的电场以使得所述多个掺杂区不在所述阱区下方延伸。
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