[发明专利]具有栅极氧化物层处减小电场的半导体器件有效
| 申请号： | 201380068265.9 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105103297B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | Q.张;B.哈尔 | 申请（专利权）人： | 科锐 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/749;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/332;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 氧化物 减小 电场 半导体器件 | ||
1.一种晶体管器件，其包括栅极、漏极和源极，其中所述栅极至少部分地与栅极氧化物接触，其中多个掺杂区存在于限定在所述晶体管器件的多个阱区之间的结场效应JFET区内，并且完全在所述JFET区的顶表面下方，且完全在所述JFET区内以及完全在所述多个阱区之间，以便减小在所述栅极氧化物上的电场以使得所述多个掺杂区不在所述阱区下方延伸。
2.如权利要求1所述的晶体管器件，其中所述晶体管器件的主体包括碳化硅。
3.如权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个掺杂区中的至少一个掺杂区在所述JFET区的中间。
4.如权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个掺杂区中的至少一个掺杂区连接到所述源极，其从具有所述漏极的所述晶体管器件的侧面有效地屏蔽所述电场。
5.如权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个掺杂区中的至少一个掺杂区的深度在0.1微米和0.3微米之间。
6.如权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个掺杂区中的至少一个掺杂区的宽度在0.5微米和1.0微米之间。
7.如权利要求1所述的晶体管器件，其中所述JFET区的宽度在2.0和3.6微米之间。
8.一种晶体管器件，其具有至少部分地与栅极氧化物接触的栅极、源极和漏极，所述晶体管器件包括：
第一导电类型的阱区；
在所述阱区上的第二导电类型的区；
掩埋沟道层，所述掩埋沟道层延伸跨越所述第二导电类型的区的一部分并至少部分地由所述栅极氧化物覆盖，其中所述晶体管器件具有在所述栅极氧化物上减小的电场；
邻近所述阱区的结场效应JFET区；
在所述阱区之下的漂移层；
在所述JFET区处并与所述阱区和所述第二导电类型的区相邻的第一导电类型的区；以及
在所述JFET区内引入的所述第一导电类型的第一和第二区，其中所述阱区被注入到所述晶体管器件内的第一深度，并且所述第一和第二区中的至少一个被注入到所述JFET区内的第二深度处且完全在所述JFET区的顶表面下方，所述第二深度在所述阱区的所述第一深度的一半和所述第一深度之间。
9.如权利要求8所述的晶体管器件，其中在所述JFET区内引入的所述第一导电类型的第一和第二区减小在所述栅极氧化物处的电场。
10.如权利要求8所述的晶体管器件，其中所述晶体管器件是MOSFET。
11.如权利要求8所述的晶体管器件，其中所述晶体管器件是绝缘栅双极晶体管。
12.如权利要求8所述的晶体管器件，其中所述晶体管器件是金属氧化物半导体控制的晶闸管。
13.如权利要求8所述的晶体管器件，其中所述第一导电类型是P型，而所述第二导电类型是N型。
14.如权利要求8所述的晶体管器件，其中所述晶体管器件的主体包括碳化硅。
15.如权利要求8所述的晶体管器件，其中在所述JFET区内引入的所述第一导电类型的第一和第二区中的一个是P+区并在所述JFET区的中间被引入。
16.如权利要求8所述的晶体管器件，其中在所述JFET区内引入的所述第一导电类型的第一和第二区中的一个是P+区并连接到所述源极，其从具有所述漏极的所述晶体管器件的侧面有效地屏蔽所述电场。
17.如权利要求8所述的晶体管器件，其中在所述JFET区内引入的所述第一导电类型的第一和第二区中的一个是P+区并在深度上比所述阱区浅。
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