[发明专利]包含表面活性剂和疏水化剂的组合物在处理线间距尺寸为50nm或更低的图案化材料时避免抗图案崩塌的用途在审
| 申请号： | 201380065126.0 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104871289A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | A·克里普;A·洪丘克;G·奥特;C·比特纳 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘娜;刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了包含表面活性剂和疏水化剂的含水组合物在处理线间距尺寸为50nm或更低的图案化材料时避免抗图案崩塌的用途。所述组合物包含至少一种非离子表面活性剂A和至少一种疏水化剂B，其中所述至少一种表面活性剂A具有10-35mN/m的平衡表面张力，这由所述至少一种表面活性剂A在水中的溶液在临界胶束浓度下测定，以及选择所述疏水化剂B以使得水与所述基材的接触角通过使该基材与该疏水化剂B在水中的溶液接触而与水与该基材在该接触之前的接触角相比增加5-95°。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 表面活性剂 疏水 组合 处理 间距 尺寸 50 nm 图案 材料 避免 崩塌 用途 | ||
【主权项】：
包含至少一种非离子表面活性剂A和至少一种疏水化剂B的含水组合物在处理包含线间距尺寸为50nm或更低的图案的基材中的用途，其中(a)所述至少一种表面活性剂A具有10‑35mN/m的平衡表面张力，这由所述至少一种表面活性剂A在水中的溶液在临界胶束浓度下测定，以及(b)选择所述疏水化剂B以使得水与所述基材的接触角通过使所述基材与所述疏水化剂B在水中的溶液接触而与水与所述基材在所述接触之前的接触角相比增加5‑95°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
