[发明专利]包含表面活性剂和疏水化剂的组合物在处理线间距尺寸为50nm或更低的图案化材料时避免抗图案崩塌的用途在审
申请号: | 201380065126.0 | 申请日: | 2013-12-04 |
公开(公告)号: | CN104871289A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | A·克里普;A·洪丘克;G·奥特;C·比特纳 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘娜;刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 表面活性剂 疏水 组合 处理 间距 尺寸 50 nm 图案 材料 避免 崩塌 用途 | ||
1.包含至少一种非离子表面活性剂A和至少一种疏水化剂B的含水组合物在处理包含线间距尺寸为50nm或更低的图案的基材中的用途,其中
(a)所述至少一种表面活性剂A具有10-35mN/m的平衡表面张力,这由所述至少一种表面活性剂A在水中的溶液在临界胶束浓度下测定,以及
(b)选择所述疏水化剂B以使得水与所述基材的接触角通过使所述基材与所述疏水化剂B在水中的溶液接触而与水与所述基材在所述接触之前的接触角相比增加5-95°。
2.根据权利要求1的用途,其中所述表面活性剂A对所述基材具有0-30°的平衡接触角。
3.根据权利要求2的用途,其中非离子表面活性剂A选自短支化全氟烷基表面活性剂(A1)、硅基表面活性剂(A2)、氧化乙烯和氧化丙烯的烷氧基封端共聚物表面活性剂(A3)、烷基多苷和山梨酸酯表面活性剂(A4)、烷基氧化胺表面活性剂(A5)和炔属二醇表面活性剂(A6)。
4.根据权利要求3的用途,其中所述短支化全氟烷基表面活性剂(A1)包含至少3个选自三氟甲基、五氟乙基、1-七氟丙基、2-七氟丙基和五氟硫基的短链全氟代基团Rf。
5.根据权利要求3的用途,其中所述硅基表面活性剂(A2)选自通式A-IIa和A-IIb的硅氧烷表面活性剂:
其中
u、v为独立地选自0-5的整数,
w为0-6的整数,
x为1-22的整数,
y为1-5的整数,
R10选自H或C1-C10烷基,以及
R11选自H、甲基或乙基。
6.根据权利要求3的用途,其中所述氧化乙烯和氧化丙烯的烷氧基封端共聚物表面活性剂(A3)具有通式A-III:
(R12-O)c-(EO)a(PO)bH(A-III)
其中
R12为选自可以任选被氟化或全氟化的C4-C30烷基的c价基团,
EO为氧亚乙基,
PO为氧亚丙基,
a为1-100的整数,
b为0-100的整数,以及
c为1-6的整数。
7.根据权利要求3的用途,其中所述烷基多苷表面活性剂(A4)具有通式A-IV:
R21O(CnH2nO)j(Z)k(A-IV)
其中
R21为选自烷基、烷基苯基、羟基烷基苯基的疏水基团,其中烷基含有约10-18个碳原子,
n优选为2或3,
j为0-10,
k为1-8,以及
Z选自己糖、葡萄糖、葡萄糖衍生物、蔗糖。
8.根据权利要求3的用途,其中所述烷基氧化胺表面活性剂(A5)具有通式A-V:
其中
R41为C6-C30疏水有机基团,
R42、R43独立地选自C1-C4烷基或C1-C4羟基烷基。
9.根据权利要求3的用途,其中所述炔属二醇表面活性剂(A6)具有通式A-VI:
其中
R51和R54为线性或支化C3-C10烷基,
R52和R53选自H和线性或支化C1-C5烷基,以及
q、r、s和t为0-20的整数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造